法国CEA

中药养生 2020年07月01日浏览：2 次

法国CEA-Leti公布了采用TSV（硅通孔）试制三维集成元件的计划“Open D”。

参与该项计划的伙伴企业和大学，可利用CEA-Leti参与策划的Minatec Campus（法国格勒诺布尔市）的200mm晶圆生产线享受试制服务。据介绍，可在2012年内采用 00mm晶圆进行试制。

试制服务中可采用的技术如下：（a）长宽比为的TSV形成技术；（b）采用微焊点的芯片-晶圆间连接技术；（c）采用凸点的芯片-基板间连接技术；（d）再布线层（RDL）的形成技术；（e）凸点下金属（UBM，Under Bump Metal）成形技术；（f）暂时贴合、薄化和剥离技术。

除了TSV形成和芯片接合等试制服务外，参与者还可以享受 D设计、布局、可靠性测试以及最终封装等技术服务。另外，关于此次设想的三维集成元件主要用途，CEA-Leti提到了生物和医疗、宇航、消费类产品、国防、安全以及基础研究等。（：木村雅秀，《日经电子》）